Il futuro delle memorie è ultra-veloce: operazioni in soli 20 nanosecondi

ULTIMO AGGIORNAMENTO 21:28

In Cina gettate le basi per le memorie non volatili del futuro: saranno ad altissime prestazioni ed ultra veloci. Operazioni di scrittura dati in soli 20 nanosecondi?

cina memorie ultra veloci
Un team di ricercatori cinesi ha scoperto un nuovo meccanismo per sviluppare dispositivi di memoria non volatile ultra veloci – MeteoWeek.com

Un gruppo di ricercatori cinesi ha scoperto un nuovo meccanismo per sviluppare dispositivi di memoria non volatile ad altissima velocità. Un’assaggio del domani, considerando che il futuro delle memorie – e non solo – sarà contraddistinto da massima efficienza e velocità eccezionale.

Secondo il team della Accademia cinese delle Scienze, i dispositivi di memoria non volatile, comprese le memorie di sola lettura (ROM) e le memorie flash, hanno un’alta capacità e affidabilità meccanica, ma le loro prestazioni sono state spesso ostacolate dal basso valore di estinzione e dalla bassa velocità operativa. Per questo, la loro ricerca si è concentrata sullo sviluppo di dispositivi di memoria non volatile floating-gate ad altissima velocità. Senza soffermarci su dettagli più tecnici, è sufficiente dire che tali dispositivi di memoria sarebbero in grado di compiere operazioni di lettura e scrittura di dati nell’ordine di 20 nanosecondi, e di conservare i dati per almeno dieci anni.

LEGGI ANCHE: iPhone 13: ancora più memoria? Prevista la versione con 1 TB di spazio

Dalla Cina ecco le memorie ultra veloci del futuro: ma la velocità non è l’unica caratteristica chiave

cina memorie ultra veloci
Ma le memorie del futuro punteranno anche sull’efficienza energetica – MeteoWeek.com

Per fare un confronto con i dispositivi di memoria attualmente disponibili, basti pensare che questi ultimi leggono e scrivono dati in un intervallo di 100 microsecondi, ovvero 100.000 nanosecondi. Un tempo comunque brevissimo, ma ben 5.000 volte inferiore rispetto a quello dei prototipi di memoria ultra veloce recentemente sviluppati in Cina.

La ricerca, finanziata dalla National Natural Science Foundation of China, dal Ministero della Scienza e della Tecnologia e dall’Accademia cinese delle Scienze, è stata pubblicata online nella giornata di lunedì 3 maggio sulla rivista Nature Nanotechnology.

Ma perché le memorie non volatili hanno (e avranno) sempre un ruolo di prim’ordine nell’innovazione elettronica e tecnologica? Innanzitutto, esse sono in grado di mantenere le informazioni anche quando non vengono alimentate. Inoltre, offrono la non volatilità dei dati, un accesso rapido ed un basso costo generale. Ma una loro caratteristica fondamentale è la loro efficacia in termini di efficienza energetica; ad oggi, si calcola che circa l’8% dell’elettricità globale viene consumata dai data center e in generale dalle tecnologie dell’informazione digitale.

LEGGI ANCHE: 700 TB di memoria in un disco ottico: un’idea che può diventare realtà

Con questa nuova scoperta, i passi in avanti in tal senso diventano quindi enormi. Il mondo dell’elettronica sta infatti continuando a muoversi nella direzione del microscopico e leggero, puntando alla riduzione delle dimensioni dei singoli componenti al fine di ottenere dispositivi sempre più veloci e in grado di fornire un’autonomia energetica maggiore.